フィルタ式 SiCイオン注入サービス
mi2-factory社のフィルター式SiCイオン注入
セラミックフォーラムでは、mi2-factory社によるフィルター式SiCイオン注入サービスを提供しています。
フィルター式SiCイオン注入とは、エネルギーフィルター（EFII） というシリコンの膜を用いることで、1回のイオン注入によって任意のドーピングプロファイルを形成する技術です。
SiCにおけるエピキタシー層のドーピング制御を高精度にコントロールすることができるため、ウエハ面内の濃度誤差は±1～2%以下に抑えられ、通常のエピキタシー装置によるドーピング制御よりも、精度と生産性を上げることが可能となります。
フィルタ式SiCイオン注入により、以下のベネフィトを得ることができます。
・チップのコスト削減：正確なドリフトゾーンのドーピング
・チップの性能向上：シリコンベースのHVデバイスの耐久性向上
・次世代のチップ構造の実現：SiC-Superjunction-MOSFET-Chip等
応用例
- ・SiC エピタキシャル層のドーピング制御
CVDを用いたエピキタシー成長では、制御の難しかったウエハ外周部のドーピング制御を、EFII を用いることで、振れ幅1%~2%に抑えることができます。 - ・SiC スーパージャンクション（SJ）構造の形成
エピキタシーを用いてのSJ構造形成は、工程が多く再現性が難しいなどの問題がありますが、イオン注入を用いることでそれらの問題を解消することが可能です。エッチングからのトレンチ構造の形成、埋め込みエピキタシー工程、エピキタシー後の平坦化工程で悩むことなく、1回の注入でSJ構造を形成します。
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製品メーカー案内
mi2-factory 社（ドイツ、Jena）
ドイツのJena大学での「エネルギーフィルターを用いたイオン注入制御の開発プロジェクト」に参加していた教授・研究者を中心に、2016年に設立したスピンアウトベンチャー。欧州内のイオン注入サービス会社と提携し、SiCデバイス開発における新しい技術スタンダードとなるべく開発を加速しており、近年では欧州デバイスメーカーとの協業も多い。フィルターを用いたSiC イオン注入サービスだけでなく、フィルター単体の提供も行っている。