半絶縁性 SiC ウエハ
半絶縁性 SiC ウエハ
セラミックフォーラムは、2011年より半絶縁性 SiC ウエハの取扱いを開始しました。
弊社で取り扱いのある半絶縁性 SiC ウエハは、高温CVD法（HTCVD）で製造されており、昇華法で製造されているウエハに比べて、以下のような特徴があります。
・低欠陥（低MPD、TSD）
・高抵抗かつ、ウエハ面内における高い抵抗率均一性
・高純度
基本的にはこれらのウエハはon-axisでの提供となります。
SiC 半絶縁性 ウエハの特長
半絶縁性 SiC ウエハは、高周波デバイス（窒化ガリウムHEMT）用のベース基板として広く適用されています。
携帯電話基地局の送信用増幅器、軍事用レーダーなどに多く用いられ、着実に使用量が増えており、自動車用レーダーや大容量データ送信などへの適用が期待されています。
応用例
- 携帯電基地局用の送信増幅器（LTE用基地局、Wi-Max用基地局、5G用基地局など）
- 軍事用デバイス（レーダー、ミサイル用方向指示など）
- 高速データ通信（ブロードバンド放送、衛生データ送信）
- グラフェン成長用ベース基板