Seen社の多種エピキタシーサービス
Seen社の多種エピキタシーサービス
セラミックフォーラムでは、2016年よりSeen社のエピキタシーサービスの取り扱いを開始しました。
Seen社では、20年以上の経験を持った技術者により低転位密度（EPD）を誇るエピキタシーサービスを実現しています。GaNではn型と半絶縁型（抵抗率109〜1012Ωcm2)で、転位密度104/cm2のサービスを提供することができます。
GaN自立基板・サファイヤ・Si・SiC・InP・GaAsなど、さまざまな基板をベースとし、GaN・SiC・グラフェン・InAs・InPなど多様なエピキタシー層を成膜することができます。
C面だけでなく非極性面・半極性面への成膜も対応可能です。
Seen社では、20年以上の経験を持った技術者により低転位密度（EPD）を誇るエピキタシーサービスを実現しています。GaNではn型と半絶縁型（抵抗率109〜1012Ωcm2)で、転位密度104/cm2のサービスを提供することができます。
GaN自立基板・サファイヤ・Si・SiC・InP・GaAsなど、さまざまな基板をベースとし、GaN・SiC・グラフェン・InAs・InPなど多様なエピキタシー層を成膜することができます。
C面だけでなく非極性面・半極性面への成膜も対応可能です。
対応可能なエピキタシー構造例
・GaNパワーデバイス（HEMT・Diode）
・GaN高周波デバイス（HEMT）
・グラフェン層 ・LED・レーザー
・VCSEL・バラクター
など
・GaN高周波デバイス（HEMT）
・グラフェン層 ・LED・レーザー
・VCSEL・バラクター
など
仕様
仕様書については下記ページをご覧下さい⇒ Seen Semiconductors社の製品ページ
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製品メーカー案内
Seen Semiconductor社（ポーランド）
ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所より2011年にスピンアウト。GaN・InP・GaAs・AlGaN・AlNなどのⅢ-Ⅴ属のエピタキシャル成長を得意としている。複雑な構造でも少量から対応できる柔軟性の高さも特長。